EDX Analyse
Materialanalyse, Schichtdicke
Mit der EDX-Analyse (energiedispersive Röntgenspektroskopie) werden die chemischen Elemente von Materialien für Materialanalysen bestimmt. Damit werden Materialen geprüft oder im Rahmen von Schadensanalysen die chemischen Elemente bestimmt. Bei der EDX-Analyse handelt es sich um eine spektroskopische Technik, mit welcher sich die Identitäten und die Konzentrationen von chemischen Elementen bestimmen lassen. Auch Schichtdickenmessungen von sehr dünnen Beschichtungen im Bereich von 5 – 200 nm werden damit durchgeführt.
Wir führen die Materialanalysen mittels EDX am Rasterelektronenmikroskop (REM) als Dienstleistung durch.
Leistungen im Bereich EDX-Analyse
- Materialanalyse von Metallen und Nichtmetallen
- Analyse von Partikeln, Spänen, Ablagerungen
- Korrosionsanalysen
- Schadensanalysen
- Fehleranalysen
- Schichtdickenmessung sehr dünne Beschichtungen
REM EDX – Verfahren
Mit der energiedispersiven Röntgenspektroskopie (EDX) können Materialanalysen durchgeführt werden. Damit erfolgt die Bestimmung der chemischen Elemente, deren Konzentration und Verteilung. Die EDX Analyse gehört zur Röntgenmikroanalyse und beruht darauf, dass jedes chemische Element eine charakteristische Röntgenstrahlung aussendet, wenn es angeregt wird. Die Anregung erfolgt durch den Primärelektronenstrahl des Rasterelektronenmikroskops. Dabei kommt es durch die Elektronen in der Atomhülle zur Aussendung einer Röntgenstrahlung, deren Spektrum für jedes Element charakteristisch ist. Man unterscheidet Spotanalysen (punktuell), Linienanalysen (line scans) und Flächenanalysen (Elementmapping). Mit einem Mapping wird die Verteilung der chemischen Elemente über eine Fläche ermittelt, wodurch lokale Unterschiede bestimmt werden.
Gerne erstellen wir Ihnen ein Angebot für EDX-Analysen.
Schichtdickenmessung
Mit dem Rasterelektronenmikroskop (REM) und dem Röntgenstrahldetektor werden präzise Schichtdickenmessungen von der Oberfläche aus zerstörungsfrei durchgeführt. Bei der energiedispersiven Röntgenspektroskopie (EDX) wird die Beschichtung über die Tiefe mit verschiedenen Beschleunigungsspannungen “abgerastert” wird. Dies wird für Beschichtungen mit Schichtdicken im Bereich von 5 – 200 nm eingesetzt.
Rasterelektronenmikroskopie (REM)
Bei der Rasterelektronenmikroskopie (REM Analyse) wird die Mikrostruktur einer Oberflächen mit Hilfe eines Elektronenstrahls sehr fein untersucht. Dazu wird ein Primärelektronenstrahl mit Hilfe einer Elektronenkathode zur Beschleunigung zur Anode hin erzeugt. Anschließend wird dieser Elektronenstrahl durch elektromagnetische Linsen auf die Oberfläche des zu untersuchenden Objektes fokussiert und wird zeilenförmig über das darzustellende Objekt gerastert. Die dabei stattfindende Wechselwirkung der Elektronen mit der Oberfläche wird analysiert.
Der auf die Probe treffende Primärelektronenstrahl löst in der Oberfläche eine Vielzahl von Reaktionen aus. Der Sekundärelektronenkontrast (SE) bildet die Oberflächentopografie ab, da die energiearmen Sekundärelektronen aus inelastischen Stößen mit den oberflächennahen Bereichen entstammen. Materialanalysen erfolgen mit dem Materialkontrast (BSE), der durch die Rückstreuelektronen (RE) entsteht, die aus inelastischer als auch elastischer Streuung resultieren, welche den Energiebereich oberhalb der SE abdecken. Die Signalintensität ist dabei von der Ordnungszahl der Elemente abhängig. Schwere Elemente führen zu einer stärkeren Rückstreuung und erscheinen hell. Die leichteren Elemente (niedrige Ordnungszahl) erscheinen dunkel.