EDX Analyse
Wir bieten EDX-Analyse (Energiedispersive Röntgenspektroskopie) am Rasterelektronenmikroskop (REM) als Dienstleistung an. Mit der EDX-Analyse wird die chemische Zusammensetzung einer Probe lokal bestimmt und so Materialanalysen vorgenommen.
Als Steinbeis-Transferzentrum an der Hochschule in Karlsruhe sind wir spezialisiert auf Analysen von Oberflächen und Materialien. Mit der EDX-Analyse werden beispielsweise Verunreinigungen, Partikel oder unbekannte Werkstoffe analysiert. Mit dem EDX Detektor am REM können aber auch Schichtdickenmessungen von sehr dünnen Schichten im Submikrometerbereich durchgeführt werden. Ebenso findet diese Anwendung bei Verschleißanalysen Anwendung, um Materialübertrag oder Fremdmaterial zu untersuchen.
Leistungsübersicht EDX Analyse
- Materialanalyse
- Verschleißanalyse
- Schichtdickenmessung
Energiedispersive Röntgenspektroskopie
Die Energiedispersive Röntgenspektroskopie (REM EDX Analyse) ist ein Verfahren der Röntgenmikroanalyse. Damit wird lokal die chemische Elementzusammensetzung eines Bauteils bestimmt. Dazu wird die Wechselwirkung der Primärelektronen des Elektronenstrahls und der Probenoberfläche zur Anregung einer Röntgenstrahlung ausgenutzt. Die Energiedispersive Röntgenspektroskopie (EDX) am Rasterelektronenmikroskop (REM) beruht darauf, dass jedes chemische Element eine charakteristische Röntgenstrahlung aussendet, wenn es angeregt wird. Diese entsteht, wenn durch den Primärelektronenstrahl ein Elektron einer kernnäheren Schale herausgeschlagen wird. Bei der EDX Analyse wird mit einem Detektor die Energie der Röntgenstrahlung bestimmt. Diese ist charakteristisch für die im Werkstück enthaltenen Elemente. Man unterscheidet bei der energiedispersiven Röntgenspektroskopie Spotanalysen, Linienanalysen und Flächenanalysen. Während mit der Spotanalyse die Elementanalyse punktuell erfolgt liefert die Flächenanalysen (Elementmapping) die Verteilung der chemischen Elemente über eine Fläche.
Gerne erstellen wir Ihnen ein Angebot für EDX-Analysen.
Rasterelektronenmikroskopie
Bei einem Rasterelektronenmikroskop (REM) wird die Oberfläche durch einen Primärelektronenstrahl beschossen. Dazu wird ein mit Hilfe einer Elektronenkathode zur Beschleunigung zur Anode hin erzeugt. Anschließend wird dieser Elektronenstrahl durch elektromagnetische Linsen auf die Oberfläche des zu untersuchenden Objektes fokussiert. Der fein gebündelte Elektronenstrahl wird zeilenförmig über das darzustellende Objekt geführt und die hierbei stattfindende Wechselwirkung der Elektronen mit der Oberfläche analysiert. Bei der REM Analyse löst der auf die Probe treffende Primärelektronenstrahl in der Oberfläche eine Vielzahl von Reaktionen aus. Der Sekundärelektronenkontrast (SE) bildet die Oberflächentopografie ab und dies mit einer sehr hohen Auflösung. Des Weiteren entstehen durch elastische Wechselwirkungen reflektierte Elektronen, der sogenannte Rückstreukontrast (BSE). Dieser wird auch Materialkontrast genannt.