Modell LensAFM
Rasterkraftmikroskop (AFM Mikroskop) für hochauflösende Analysen von Oberflächen
Mit einem Rasterkraftmikroskop (AFM) werden Oberfläche hochauflösend abgetastet. Durch AFM-Messungen werden die Oberflächentopographie und die Materialeigenschaften auf der Nanometerskala bestimmt. Die Rasterkraftmikroskopie erreicht die höchste Auflösung aller mikroskopischen Techniken.
Als Steinbeis-Transferzentrum führen wir AFM Messungen mit dem Rasterkraftmikroskop als Dienstleistung durch. Wir arbeiten auf der wissenschaftlichen Grundlage einer Hochschule und kombinieren dies mit unserer Handlungskompetenz als Unternehmen.
Analysen
- Dreidimensionale Oberflächenmessungen
- Rauheiten und Stufenhöhen
- Mechanische Materialunterschiede
- Oberflächenadhäsion
- Strom-Spannungs-Kurven
- Oberflächenleitfähigkeit bzw. -widerstand
- Verteilung von magnetischen Feldern
- Verteilung von elektrostatischen Feldern
Messmodi
- AFM (atomic force microscopy)
- AFM Force Spectroscopy
- C-AFM (conductive atomic force microscopy)
- MFM (magnetic force microscopy)
- EFM (electrostatic force microscopy)
Beispiel
- AFM Topografiemessung
Spezifikation
- XY-Auflösung: 1.7 nm
- Z-Auflösung: 0.34 nm
- XY-Scanbereich: max. 110 µm
- Z-Scanbereich: max. 22 µm
Topografiemessung (AFM)
Bei der Rasterkraftmikroskopie (englisch: AFM – atomic force microscopy) tastet eine an einer Blattfeder (Cantilever) befindliche Messnadel die Oberfläche ab. Das Rasterkraftmikroskop ist ein Rastersondenmikroskop und rastert mit einer Messspitze die Oberfläche der zu untersuchenden Oberfläche Zeile für Zeile ab. Wenn die Messnadelspitze mit einem Radius im Nanometerbereich sich der Oberfläche annähert, erhöhen sich die atomaren Wechselwirkungskräfte (van-der-Waals-Kräfte) zwischen Nadel und Oberfläche um eine Größenordnung. Neutrale Atome im Bereich eines interatomaren Abstandes ziehen sich mit den so genannten Dispersions- oder van-der-Waals-Kräften an. Diese Kraft wird umso größer, je kleiner der Abstand zwischen der Spitze und Messobjekt ist. Die Auslenkung wird mit einem Laser gemessen und aus dem Signal ein Maß für die Topographie berechnet. Die Messungen mit dem Rasterkraftmikroskop können im Non-Contact-Mode oder im Contact-Mode erfolgen.
Kraftspektroskopie
Mit einem Rasterkraftmikroskop (AFM) können sogenannte Kraft-Abstandskurve (Force-Distance-Curve) aufgenommen werden. Dazu wird ein kalibrierter Cantilever auf die Probe abgesenkt, mit definierter Kraft aufgedrückt und wieder entfernt. Aus dieser Kurve lassen Größen wie die Oberflächenadhäsion und der Elastizität (E-Modul) des Materials mit sehr hoher Genauigkeit und Ortsauflösung bestimmen.
Leitfähigkeits- und Widerstandsmessungen (C-AFM)
Mit der leitfähigen Rasterkraftmikroskopie (C-AFM: conductive atomic force microscopy) oder stromabtastende Rasterkraftmikroskopie (CS-AFM: current sensing atomic force microscopy) wird die Topographie eines Materials und der elektrische Stromfluss am Kontaktpunkt der Spitze (Cantilever) gemessen. Durch die hohe Auflösung des Rasterkraftmikroskops ist es möglich topographische Stromkorrelationen zu bestimmen und somit die Oberflächenleitfähigkeit bzw. Oberflächenwiderstand ortsaufgelöst zu bestimmen.
Magnetkraftmikroskopie (MFM)
Die Magnetkraftmikroksopie (magnetic force microscopy) dient zur Untersuchung der lokalen Magnetfeldstärke an der Oberfläche. Dazu wird ein Cantilever verwendet, der eine ferromagnetische Beschichtung aufweist. Das Messignal wird nicht mehr nur durch mechanische Messnadelspitze, sondern durch die durch lokale Feldstärke wirkenden magnetischen Anziehungskräfte.