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Rasterelektronenmikroskopie (REM)

Die Rasterelektronenmikroskopie (REM) ist ein hochauflösendes Untersuchungsverfahren zur detaillierten Analyse von Oberflächen, Bruchflächen, Mikrostrukturen und Werkstoffgefügen. Dank der hohen Auflösung und großen Schärfentiefe lassen sich feinste Strukturen sowie Risse, Poren, Einschlüsse, Verschleißspuren, Beschichtungen und Materialdefekte sichtbar machen und charakterisieren.

Als unabhängiges Prüflabor bieten wir REM-Untersuchungen und Rasterelektronenmikroskopie als Dienstleistung für die Werkstoffprüfung, Oberflächenanalyse und Schadensanalyse an. Mithilfe unterschiedlicher Detektoren untersuchen wir sowohl die Oberflächentopografie als auch materialbedingte Kontraste. In Kombination mit der energiedispersiven Röntgenspektroskopie (EDX-Analyse) ermöglichen wir zudem die lokale chemische Elementanalyse zur Charakterisierung von Werkstoffen, Beschichtungen, Verunreinigungen, Ablagerungen und Korrosionsprodukten.

REM Aufnahme eines Zink-Whiskers

Unsere REM-Analysen kommen insbesondere bei der Bruchflächenanalyse (Fraktographie), Verschleißanalyse, Beschichtungsuntersuchung und Werkstoffcharakterisierung zum Einsatz. An präparierten Querschliffen lassen sich darüber hinaus Schichtaufbau, Schichtdicke, Grenzflächen und lokale Defekte hochauflösend untersuchen. Die Ergebnisse liefern wichtige Erkenntnisse zur Bewertung der Materialqualität, zur Identifizierung von Schadensmechanismen und zur Ermittlung möglicher Ursachen von Bauteilversagen.

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Bei der Rasterelektronenmikroskopie (REM-Analyse) wird die Mikrostruktur einer Oberfläche mithilfe eines Elektronenstrahls sehr genau untersucht. Dazu wird ein Primärelektronenstrahl mithilfe einer Elektronenkathode erzeugt und zur Beschleunigung zur Anode hin geleitet. Anschließend wird dieser Elektronenstrahl durch elektromagnetische Linsen auf die Oberfläche des zu untersuchenden Objekts fokussiert und zeilenförmig darüber gerastert. Die dabei stattfindende Wechselwirkung der Elektronen mit der Oberfläche wird analysiert.

Der Sekundärelektronenkontrast (SE) bildet die Oberflächentopografie ab, da die energiearmen Sekundärelektronen aus inelastischen Stößen mit den oberflächennahen Bereichen entstammen.

Materialanalysen erfolgen mit dem Materialkontrast (BSE), der durch Rückstreuelektronen (RE) entsteht. Diese resultieren aus inelastischer und elastischer Streuung und decken den Energiebereich oberhalb der SE ab. Die Signalintensität ist dabei von der Ordnungszahl der Elemente abhängig. Schwere Elemente (hohe Ordnungszahl) führen zu einer stärkeren Rückstreuung und erscheinen hell, während leichte Elemente (niedrige Ordnungszahl) dunkel erscheinen. Leichtere Elemente (niedrige Ordnungszahl) erscheinen dagegen dunkel.

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