Startseite Metallografische Untersuchung Rasterelektronenmikroskopie (REM)

Rasterelektronenmikroskopie (REM) - Metallografische Untersuchung

Die Rasterelektronenmikroskopie (REM) ist ein Verfahren zur hochauflösenden Untersuchung von Oberflächen, Bruchflächen, Mikrostrukturen und Werkstoffgefügen. Dank der hohen Auflösung und großen Schärfentiefe können feine Strukturen sowie Risse, Poren, Einschlüsse, Verschleißspuren, Beschichtungen und andere Materialdefekte detailliert dargestellt und analysiert werden.

Mithilfe unterschiedlicher Detektoren lassen sich sowohl die Oberflächentopografie als auch material- und phasenbedingte Kontraste untersuchen. In Verbindung mit der energiedispersiven Röntgenspektroskopie (EDX) ist zudem die Bestimmung der elementaren chemischen Zusammensetzung und deren lokaler Verteilung möglich. Dadurch lassen sich beispielsweise Werkstoffbereiche, Beschichtungen, Verunreinigungen, Ablagerungen und Korrosionsprodukte charakterisieren.

Das REM wird daher insbesondere zur Werkstoff- und Gefügecharakterisierung, Beschichtungs- und Grenzflächenanalyse, Fraktografie sowie Verschleiß- und Schadensanalyse eingesetzt. An präparierten Querschliffen können zudem der Schichtaufbau, die Schichtdicke, die Grenzflächen und die Defekte hochauflösend untersucht werden.

  • Oberflächenanalyse
  • Materialanalyse
  • Beschichtungsanalyse
  • Schichtdickenmessung
  • Gefügeuntersuchung
  • Kristallstruktur
  • Texturanalyse
  • Schadensanalyse

REM Aufnahme eines Zink-Whiskers

Wir bieten als Steinbeis-Transferzentrum Analysen mittels Rasterelektronenmikroskopie als Dienstleistung an.

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Bei der Rasterelektronenmikroskopie (REM-Analyse) wird die Mikrostruktur einer Oberfläche mithilfe eines Elektronenstrahls sehr genau untersucht. Dazu wird ein Primärelektronenstrahl mithilfe einer Elektronenkathode erzeugt und zur Beschleunigung zur Anode hin geleitet. Anschließend wird dieser Elektronenstrahl durch elektromagnetische Linsen auf die Oberfläche des zu untersuchenden Objekts fokussiert und zeilenförmig darüber gerastert. Die dabei stattfindende Wechselwirkung der Elektronen mit der Oberfläche wird analysiert.

Der Sekundärelektronenkontrast (SE) bildet die Oberflächentopografie ab, da die energiearmen Sekundärelektronen aus inelastischen Stößen mit den oberflächennahen Bereichen entstammen.

Materialanalysen erfolgen mit dem Materialkontrast (BSE), der durch Rückstreuelektronen (RE) entsteht. Diese resultieren aus inelastischer und elastischer Streuung und decken den Energiebereich oberhalb der SE ab. Die Signalintensität ist dabei von der Ordnungszahl der Elemente abhängig. Schwere Elemente (hohe Ordnungszahl) führen zu einer stärkeren Rückstreuung und erscheinen hell, während leichte Elemente (niedrige Ordnungszahl) dunkel erscheinen. Leichtere Elemente (niedrige Ordnungszahl) erscheinen dagegen dunkel.

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